[16a-1B-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[16a-1B-5] SiO₂/ZnO積層膜のアニールによる電気特性の向上

〇山田 容士¹、舩木 修平¹、井上 創太¹、菊池 大樹¹ (1.島根大総理工)

キーワード：透明導電膜、ガリウム添加酸化亜鉛、アニール

透明導電膜であるGa添加ZnO（GZO）膜の上層に、SiO₂膜を形成したSiO₂/GZO積層膜をスパッタリング法で形成し、アニールによる電気特性、および、結晶性の変化を調べた。400℃以上の真空アニールによりSiO₂/GZO積層膜はGZO膜と異なる抵抗率の変化を示した。この違いの詳細をキャリア数と結晶構造の変化に関係付けて報告し，膜と環境との原子のやり取りの観点から現象を検討する。