[16a-1B-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [16a-1B-6] 低温での水素イオンビーム照射による酸化亜鉛薄膜の物性制御

〇中山 亮¹、前里 光彦¹、長岡 孝²、有田 誠²、北川 宏^1,3 (1.京大院理、2.九大院工、3.JST-CREST)

キーワード：酸化亜鉛、水素、イオンビーム

水素は電子系と相互作用しやすく、水素の導入は物性を劇的に変える可能性を秘めている。しかし、従来の水素導入法では、多様な物質に水素を導入することができない。そこで、我々はあらゆる物質に水素を導入する手法として水素イオンビーム照射に着目した。本研究では我々が開発した水素イオンビーム照射装置を用いて、低温での酸化亜鉛への照射と温度可変でのin-situ電気伝導度測定を行い、照射による影響を詳細に調べた。