2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[16a-1B-1~12] 21.1 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:15 1B (133+134)

座長:川原村 敏幸(高知工科大)

10:45 〜 11:00

[16a-1B-7] サファイア基板上のZnO透明導電膜の特性

〇赤沢 方省1 (1.NTT DIC)

キーワード:ZnO、透明導電膜、サファイア基板

ZnO系透明導電膜は通常ガラス基板上に形成され、抵抗率は膜厚に強く依存する。しかしその様子は基板の種類にも影響されるはずである。本研究においては、ともに非晶質であるSiNx基板上とガラス基板上の特性が同じであることを確認した。一方サファイアC面基板上に高温で成長したZnO膜の抵抗率の膜厚依存曲線が、ガラス基板上のものと異なることを見出した。それはエピタキシャル界面に由来するものである。