[16a-1D-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-1D-10] Fabrication of LED based on regularly arranged thin InGaN nanocolumns

〇Tatsuya Kano¹, Jun Yoshida¹, Rin Miyagawa¹, Naoki Sakakibara¹, Yutaro Mizuno¹, Takao Oto¹, Katsumi Kishino^1,2 (1.Sophia Univ, 2.Sophia Univ. Nanotech. Res. Center)

Keywords:nanocolumns,LED,InGaN

ボトムアップ法で作製されるナノコラムは、ナノ結晶効果により基板からの貫通転位が抑制されるため発光効率が向上する。直径100 nm以下の細線ナノコラムでは歪緩和効果の向上、In組成揺らぎ抑制が期待され、直径数十nm以下のナノコラムにInGaN/GaN量子井戸を内在化させれば、量子ドット効果が発現する。本研究では、コラム径66 nm, 周期100 nmの規則配列細線ナノコラムを用いて、ナノコラムLEDを作製したので報告する。