[16a-1D-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-1D-9] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によって作製したInGaN/GaN単一量子ディスクナノピラーの光学特性

〇(M1)水谷 友哉¹、蜂屋 諒¹、小川 航平¹、石嶋 駿¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大、2.上智大ナノテク研究センタ)

キーワード：窒化ガリウム、エッチング、ナノ構造

我々は、低圧水素雰囲気中での窒化物半導体の熱分解反応を利用した新しいナノ加工技術である水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法について報告してきた。本研究では、HEATE法で作製したInGaN単一量子ディスクを内在するナノピラーアレイを作製した。PL温度特性測定及び時間分解PL測定により、HEATE法がInGaN/GaN量子井戸構造を内在するナノ構造作製に適した低損傷なエッチング法であることを検証した。