2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-1D-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月16日(水) 08:45 〜 12:00 1D (141+142)

座長:小島 一信(東北大),石谷 善博(千葉大)

11:15 〜 11:30

[16a-1D-10] 規則配列細線InGaNナノコラムを用いたLEDの作製

〇加納 達也1、吉田 純1、宮川 倫1、榊原 直樹1、水野 祐太郎1、大音 隆男1、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

キーワード:ナノコラム、LED、InGaN

ボトムアップ法で作製されるナノコラムは、ナノ結晶効果により基板からの貫通転位が抑制されるため発光効率が向上する。直径100 nm以下の細線ナノコラムでは歪緩和効果の向上、In組成揺らぎ抑制が期待され、直径数十nm以下のナノコラムにInGaN/GaN量子井戸を内在化させれば、量子ドット効果が発現する。本研究では、コラム径66 nm, 周期100 nmの規則配列細線ナノコラムを用いて、ナノコラムLEDを作製したので報告する。