[16a-1D-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-1D-5] バルクGaN表面のナノインデンテーションにおいて塑性変形の引き金となるr面すべりの転位形成

〇横川 俊哉¹、二木 佐知²、前川 順子²、青木 正彦² (1.山口大工、2.イオンテクノセンター)

キーワード：窒化物系化合物半導体、ナノインデンテーション、転位

バルクGaN基板は低転位密度、高熱伝導、低抵抗のためLEDやパワーデバイスへの応用が期待されている。かつて高品質GaNのナノインデンテーションを行い、塑性変形に伴う転位の発生について報告した。また分子動力学シミュレーションの結果から塑性変形の初期の段階においてr面すべりの転位の形成が関わることを提案した。しかし従来の報告では使用したインデンターの半径も大きく、荷重も大きいため、塑性変形と共に転位の増殖が起こり、r面すべりとは異なるすべり面の転位も多数発生し、r面すべりを特定するまでには至らなかった。今回我々は従来より小さな半径（～100nm）のインデンターを用い、より小さなポップインの荷重を用いることにより、インデンテーションを行い塑性変形初期のr-面すべりの転位発生を確認したので報告する。