[16a-1D-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-1D-8] 単一GaN界面ゆらぎ量子ドット発光線幅の均一・不均一拡がりの評価

〇有田 宗貴¹、加古 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生産研)

キーワード：窒化物半導体、量子ドット、単一ドット分光

GaN/AlGaN界面ゆらぎ量子ドットの単一ドット発光線幅を解析してこの系における均一/不均一拡がりを定量的に評価した。GaN界面ゆらぎ量子ドットでは、従来のGaN系ドットと比較してドット周辺の欠陥密度が低く不均一拡がりが抑制されている結果、均一拡がりの評価が可能になった。