[16a-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

△ [16a-2E-4] InP光導波路に結合した金属クラッド共振器型光変調器の設計

〇(M2)千枝 航¹、張 柏富¹、沖本 拓也¹、種村 拓夫¹、中野 義昭¹ (1.東大院工)

キーワード：光変調器、光集積回路、化合物半導体

オンチップ光インターコネクト、光スイッチの応用に向け、集積光変調器の小型化が求められている。金属を用いた微小光共振器光変調器は導波路と結合することで、 波長程度の大きさで集積することができ、低消費電力かつ高密度な光集積回路への応用が期待される。著者らは半導体導波路と結合した金属共振器について２次元FDTD計算を行い、長さ2µmの共振器において、挿入損失1.8dB、消光比4.3dBの強度変調が可能であることを示した。