The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[16a-2H-1~13] 6.3 Oxide electronics

Wed. Sep 16, 2015 9:00 AM - 12:15 PM 2H (222)

座長:関 宗俊(東大)

10:15 AM - 10:30 AM

[16a-2H-6] Photovoltaic Properties of Inverse Opal TiO2 Electrode Adsorbed with CdSe Quantum Dots: the effect of TiCl4 post treatment

〇(M1)motoki hironaka1, Jin Chang1,3, Taro Toyoda1,3, Hori Kanae1, Yuhei Ogomi2,3, Shuzi Hayase2,3, Qing Shen1,3 (1.Univ. of Electro-Commun., 2.Kyushu Inst. Tec., 3.JST CREST)

Keywords:solar cell,Inverse Opal

逆オパール(IO)構造の骨格を太くし、表面積を増やすことを目的としてTiCl4後処理を行い、光電変換特性に及ぼす影響について検討した。本研究では、IO構造TiO2電極を作製し、50 mM TiCl4水溶液に70℃で1時間浸漬させ、450℃で1時間の加熱を行う後処理の後、CdSe量子ドットを吸着してその光電変換特性評価を行った。IO電極はナノ粒子電極と比べ高いVocを示すことが判明した。また、後処理により短絡電流密度の向上が確認された。