2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-2R-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 2R (231-2)

座長:末益 崇(筑波大)

10:30 〜 10:45

[16a-2R-6] FeSi2/W薄膜を用いた高い選択性を有する波長選択赤外線源の開発

〇舛中 翔馬1、西浦 健介1、名村 今日子1、鈴木 基史1 (1.京大院工)

キーワード:FeSi2、赤外線源、高い波長選択性