[16a-4A-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

[16a-4A-3] 両末端化学吸着型ナノ粒子単電子トランジスタ

〇東 康男¹、大沼 悠人¹、坂本 雅典²、寺西 利治²、真島 豊¹ (1.東工大応セラ、2.京大化研)

キーワード：単電子トランジスタ、自己組織化

単電子トランジスタ(SET)においては単電子島の吸着状態がクーロンダイヤモンド特性などの電気特性に大きく影響を与えることが知られており、それらはドレイン、ソース電極間に形成される2つの容量及び2つのトンネル抵抗として記述される。本報告では金ナノ粒子をドレイン電極、ソース電極の両側で化学吸着させたSETの動作について報告する。
電子線描画と自己触媒型無電解金メッキ法を用いることで、2つのサイドゲート電極を有するナノギャップ電極を作製する。このナノギャップ電極上にヘキサンチオールとオクタンジチオールの混合自己組織化膜を形成した後、溶液浸漬法によりナノギャップ電極間に金ナノ粒子(コア粒径6.2 nm)を導入した。測定は真空下、T=9 Kにて行った。