一般セッション(口頭講演)

[12p-A18-1~18] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2015年3月12日(木) 14:00 〜 19:00 A18 (6A-208)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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14:00 〜 14:15

▲ [12p-A18-1] Formation of polycrystalline Silicon Layer on Quartz substrate by Aluminium-induced Crystallization

〇(M1)Joko Suwardy^1,², Wipakorn Jevasuwan¹, Kaoru Toko², Takashi Suemasu², Naoki Fukata^1,² (1.National Institute for Materials Science, 2.Univ. of Tsukuba)

14:15 〜 14:30

△ [12p-A18-2] 高濃度Si結晶のフォトルミネッセンススペクトルの系統的変化

〇中川啓^1,²、田島道夫^1,²、豊田裕之²、小椋厚志¹ (1.明治大, 2.JAXA宇宙研)

14:30 〜 14:45

[12p-A18-3] Si結晶中の低濃度炭素の赤外吸収測定 (VI) 5x10¹⁴ cm⁻³までのSIMS測定と標準試料

〇井上直久^1,⁷、渡邉香²、後藤安則³、大渕真澄⁴、関洋文⁵、鵜野浩行⁶、河村裕一⁷ (1.東京農工大工, 2.システムズエンジニアリング, 3.トヨタ自動車, 4.ナノサイエンス, 5.東レリサーチ, 6.住重試験検査, 7.大阪府大)

14:45 〜 15:00

[12p-A18-4] SiC結晶の赤外吸収（3）反射吸収

〇井上直久¹、渡邉香²、関章憲³、河村裕一⁴ (1.東京農工大工, 2.システムズエンジニアリング, 3.トヨタ自動車, 4.大阪府大)

15:00 〜 15:15

[12p-A18-5] 融液からの炭素の蒸発を利用したCZ-Siの極低炭素化技術

〇永井勇太¹、鹿島一日兒¹、中川聰子¹、日笠光朗¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

15:15 〜 15:30

[12p-A18-6] ＭＣＺシリコン単結晶のバルクライフタイムに対する低炭素化の効果（２）

〇日笠光朗¹、中川聰子¹、鹿島一日兒¹、永井勇太¹ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[12p-A18-7] 固液界面近傍の熱応力がSi単結晶の臨界v/G値に与える影響（II）

〇末岡浩治¹、神山栄治¹、中村浩三¹ (1.岡山県大情報工)

16:00 〜 16:15

[12p-A18-8] 自己拡散や成長欠陥研究から求められたシリコン中の点欠陥の性質

〇末澤正志¹、飯島嘉明¹、深田直樹²、米永一郎¹ (1.東北大金研, 2.物材機構)

16:15 〜 16:30

[12p-A18-9] シリコン中の空孔濃度に及ぼす不純物効果の検討 (II)

〇中村浩三¹、末岡浩治¹、神山栄治¹ (1.岡山県大情報工)

16:30 〜 16:45

△ [12p-A18-10] 水素ドナー及び格子間Si対形成に対する熱処理温度の影響

〇清井明¹、田中政幸¹、川上剛史¹、鶴田明三¹、谷村純二¹、湊忠玄²、多留谷政良² (1.三菱電機先端総研, 2.三菱電機パワ電)

16:45 〜 17:00

△ [12p-A18-11] シリコンウェーハ中の酸素析出物を起因とするSlip転位発生の臨界応力

〇藤瀬淳¹、高奉均¹、鳥越和尚¹、小野敏昭¹ (1.株式会社SUMCO)

17:00 〜 17:15

△ [12p-A18-12] n型シリコンウェーハ中のFe関連準位の低温熱処理挙動

〇大仲亜由美¹、門野武¹、三次伯知¹、栗田一成¹ (1.SUMCO)

休憩（17:15 〜 17:30）

17:30 〜 17:45

[12p-A18-13] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（1） -CMOSイメージセンサのデバイス特性にゲッタリングが与える効果-

〇栗田一成¹、門野武¹、李伸²、朴在勤² (1.株式会社SUMCO, 2.漢陽大学校)

17:45 〜 18:00

△ [12p-A18-14] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（２） -エピタキシャル成長後の水素の熱処理・拡散挙動-

〇奥山亮輔¹、廣瀬諒¹、門野武¹、岩永卓朗¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹ (1.株式会社SUMCO)

18:00 〜 18:15

[12p-A18-15] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（３） -エピ成長後の酸素の熱処理・拡散挙動-

〇奥田秀彦¹、奥山亮輔¹、岩永卓朗¹、門野武¹、廣瀬諒¹、古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.株式会社SUMCO)

18:15 〜 18:30

△ [12p-A18-16] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（4） -低温クラスター照射が照射欠陥の形成に与える影響-

〇廣瀬諒¹、奥山亮輔¹、門野武¹、岩永卓朗¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹ (1.株式会社SUMCO)

18:30 〜 18:45

[12p-A18-17] 第一原理計算によるSi単結晶中のゲッタリングサイトの探索

〇白澤渉¹、末岡浩治¹、前川和義²、山口直² (1.岡山県大院情報系工, 2.ルネサスエレクトロニクス)

18:45 〜 19:00

[12p-A18-18] IV族半導体結晶におけるクラスタや混晶系の対称性を考慮した原子配置作成プログラムとその適用

〇末岡浩治¹、松谷亮¹、白澤渉¹、神山栄治^1,²、泉妻宏治²、鹿島一日児²、中塚理³ (1.岡山県大情報工, 2.グローバルウェーハズ, 3.名大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[13a-P17-1~2] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2015年3月13日(金) 09:30 〜 11:30 P17 (総合体育館)