シンポジウム(口頭講演)
[14a-B1-1~9] 窒化物半導体特異構造の科学 ～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～
2015年3月14日(土) 08:30 〜 11:45 B1 (6B-101)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
08:30 〜 09:00
〇藤岡 洋1, 2, 3、上野 耕平1、小林 篤1、太田 実雄1 (1.東大生研, 2.JST-CREST, 3.JST-ACCEL)
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09:00 〜 09:30
〇橋詰 保1 (1.北大量集センター)
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09:30 〜 09:45
〇栗本 浩平1, 2、包 全喜1, 2、斉藤 真1, 3、富田 大輔1、伊藤 みずき1、山崎 芳樹1、小島 一信1、鏡谷 勇二3、茅野 林造2、石黒 徹1、秩父 重英1 (1.東北大多元研, 2.日本製鋼所, 3.三菱化学)
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09:45 〜 10:00
〇金子 光顕1、木本 恒暢1、須田 淳1 (1.京大院工)
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10:00 〜 10:15
〇赤坂 哲也1、林 家弘1、山本 秀樹1 (1.NTT物性基礎研)
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休憩 （10:15 〜 10:30）
10:30 〜 11:00
〇上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、赤﨑 勇1, 2 (1.名城大理工, 2.名古屋大赤﨑記念研究センター)
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11:00 〜 11:15
〇小塚 祐吾1、池山 和希1、赤木 孝信1、岩山 章1、中田 圭祐1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1, 2 (1.名城大理工, 2.名大・赤﨑記念研究センター)
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11:15 〜 11:30
〇(PC)石沢 峻介1、本山 界1、岸野 克巳1, 2 (1.上智大理工, 2.上智ナノテク)
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11:30 〜 11:45
〇(D)尾崎 拓也1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)
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