〇(PC)SIMAYI SHALAMUJIANG¹, yasuhiro Kida¹, Katsuhiko Shirasawa¹, Hidetaka Takato¹ (1.National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

10:00 〜 10:15

[12a-A18-5] 固定ダイヤモンドワイヤーで加工した単結晶シリコンウエハの表面評価

〇福田哲生¹、鈴木信隆¹、森谷正昭¹、白澤勝彦¹、高遠秀尚¹ (1.（独）産総研)

10:15 〜 10:30

[12a-A18-6] 切断ワイヤの摩耗と単結晶シリコンウエハの破壊強度

〇小野裕道¹、本田和夫¹、福田哲生²、鈴木信隆²、白澤勝彦²、高遠秀尚² (1.福島県ハイテクプラザ, 2.(独)産総研福島再生可能エネルギー研究所)

10:30 〜 10:45

[12a-A18-7] Ne雰囲気スパッタSi膜(500 nm厚)への青色レーザによる結晶化

〇具志堅貴也¹、若杉智英¹、岡田竜弥¹、野口隆¹、河本直哉² (1.琉球大学, 2.山口大学)

休憩（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

△ [12a-A18-8] 太陽電池用モノライクSi中の転位発生抑制のための応力解析

〇杉岡翔太¹、沓掛健太朗^1,²、出浦桃子¹、大野裕¹、米永一郎¹ (1.東北大金研, 2.JSTさきがけ)

11:15 〜 11:30

[12a-A18-9] 実用サイズシリコンインゴットの組織制御による転位発生抑制

〇高橋勲¹、Supawan Joonwichien¹、平松巧也¹、岩田大将¹、松島悟¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

11:30 〜 11:45

[12a-A18-10] シードキャスト法における結晶Siの粒界と転位発生との関

〇岩田大将¹、高橋勲¹、Joonwichien Supawan¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大工)

11:45 〜 12:00

▲ [12a-A18-11] Three-dimensional analysis of dislocation multiplication in single-crystal silicon under accurate control of cooling history of temperature

〇Bing Gao¹, Karolin Jiptner², Satoshi Nakano¹, Hirofumi Harada², Yoshiji Miyamura², Takashi Sekiguchi², Koichi Kakimoto¹ (1.RIAM, Kyushu Univ., 2.NIMS)

12:00 〜 12:15

△ [12a-A18-12] 太陽電池用多結晶Si中のサーマルドナー関連欠陥に起因する深い準位のフォトルミネッセンス

〇樋口史仁^1,²、佐藤邦孝^1,³、加藤言^1,²、田島道夫^1,²、小野春彦^1,³、小椋厚志¹ (1.明治大, 2.JAXA 宇宙研, 3.神奈川県産技セ)

12:15 〜 12:30

[12a-A18-13] 硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の中赤外光吸収スペクトルの結晶構造依存性

〇中井達也¹、内藤宗幸¹、小林勇輝¹、長尾克紀¹、青木珠緒¹、杉村陽¹、梅津郁朗¹ (1.甲南大理工)

一般セッション(口頭講演)

[12p-C2-1~19] 16.3 シリコン系太陽電池

2015年3月12日(木) 13:45 〜 19:00 C2 (6C-207)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

[12p-C2-1] サブストレート型微結晶シリコン太陽電池における透明導電酸化物膜の影響

〇齋均¹、前島圭剛²、片山博貴³、鯉田崇¹、松井卓矢¹、近藤道雄¹、竹内良昭⁴、吉田功² (1.産総研, 2.PVTEC, 3.Panasonic, 4.三菱重工)

14:00 〜 14:15

△ [12p-C2-2] セリウムをドープした酸化インジウム膜におけるセリウム価電子状態および電気特性への水素同時ドーピング効果

〇小林英治¹、渡部嘉¹、山本哲也² (1.長州産業, 2.高知工科大)

14:15 〜 14:30

[12p-C2-3] ナノ構造体・結晶シリコン融合構造におけるGeドット積層構造とフォトニックナノ構造の独立形状制御

〇(M1C)青沼理¹、星裕介¹、太野垣健²、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工, 2.京大化研)

14:30 〜 14:45

[12p-C2-4] フォトニック結晶を有する極薄µc-Si太陽電池の光吸収の解析－Ag電極プラズモン吸収の検討－

〇田中良典¹、石崎賢司¹、De Zoysa Menaka^1,²、川本洋輔¹、梅田尚実¹、藤田奨也¹、元平暉人¹、野田進¹ (1.京大院工, 2.京大白眉)

14:45 〜 15:00

[12p-C2-5] フォトニック結晶による極薄μc-Si太陽電池の変換効率向上－Ag電極プラズモン吸収の抑制－

〇石崎賢司¹、De Zoysa Menaka^1,²、田中良典¹、梅田尚実¹、川本洋輔¹、藤田奨也¹、野田進¹ (1.京大院工, 2.京大白眉)

15:00 〜 15:15

△ [12p-C2-6] ピラミッド構造への化学的転写法による極低反射Si表面と光閉じ込め

〇今村健太郎^1,²、入鹿大地^1,²、野中啓章^1,²、小林光^1,² (1.阪大産研, 2.CREST-JST)

休憩（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

[12p-C2-7] [講演奨励賞受賞記念講演] 走査型非線形誘電率顕微鏡によるアモルファスシリコン太陽電池のpin接合の可視化

〇廣瀬光太郎¹、茅根慎通¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

15:45 〜 16:00

△ [12p-C2-8] プラズマCVDプロセスにおけるa-Si_1-xC_x:HのChemical-Orderの発現に関する量子分子動力学計算

〇(D)桑原卓哉¹、伊藤寿¹、樋口祐次¹、尾澤伸樹¹、久保百司¹ (1.東北大院工)

16:00 〜 16:15

[12p-C2-9] 薄膜シリコン太陽電池における欠陥密度決定プロセス(I)　- ドープ膜における欠陥密度 -

〇傍島靖^1,²、松田彰久^1,²、岡本博明^1,² (1.阪大院基礎工, 2.JST-CREST)

16:15 〜 16:30

[12p-C2-10] 薄膜シリコン太陽電池における欠陥密度決定プロセス(II)　-pin型、nip型太陽電池における発電特性の差異 -

〇傍島靖^1,²、松田彰久^1,²、岡本博明^1,² (1.阪大院基礎工, 2.JST-CREST)

16:30 〜 16:45

[12p-C2-11] 薄膜シリコン太陽電池における欠陥密度決定プロセス(III) -nip 太陽電池における発電特性の改善 -

〇傍島靖^1,²、松田彰久^1,²、岡本博明^1,² (1.阪大院基礎工, 2.JST-CREST)

16:45 〜 17:00

[12p-C2-12] Conductive-AFMによる多結晶SiGe薄膜の欠陥分布の評価

〇澤祐基¹、磯村雅夫¹ (1.東海大院工)

休憩（17:00 〜 17:15）

17:15 〜 17:30

[12p-C2-13] a-Si:H太陽電池における光劣化の製膜速度依存性

〇松井卓矢¹、Bidiville Adrien¹、前島圭剛²、齋均¹、鯉田崇¹、末崎崇^2,³、松本光弘^2,⁴、斉藤公彦^2,⁵、吉田功²、近藤道雄¹ (1.産総研, 2.PVTEC, 3.カネカ, 4.パナソニック, 5.福島大)

17:30 〜 17:45

[12p-C2-14] 太陽光励起レーザーと組み合わせるためのシリコン光電変換素子（II）

〇竹田康彦¹、伊藤忠¹ (1.豊田中研)

17:45 〜 18:00

[12p-C2-15] FLAによるテクスチャ化ガラス上へのpoly-Si薄膜形成

〇(M2)渡邊大貴¹、大平圭介¹ (1.北陸先端大)

18:00 〜 18:15

▲ [12p-C2-16] Optical modelling and simulation of Cone Shaped Si-NWs p-i-n structure for Solar Cell Application

〇(P)M Khan¹, Y Ishikawa^1,³, I Kita³, Y Kurokawa^1,², Y Ichikawa¹, M Konagai^1,² (1.Japan Science and Technology Agency, 2.Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 3.Nara Institute of Science and Technology)