〇Jofferson Gonzales¹, F.R. Bagsican¹, Iwao Kawayama¹, Hironaru Murakami¹, A. Winchester², S. Ghosh², S. Talapatra², Masayoshi Tonouchi¹ (1.Osaka Univ., 2.SIU-Carbondale)

16:45 〜 17:00

[13p-D8-3] 単原子層遷移金属ダイカルコゲナイドヘテロ構造における発光特性

〇(PC)毛利真一郎¹、小澤大知¹、宮内雄平¹、江田剛輝²、松田一成¹ (1.京大エネ研, 2.シンガポール国立大)

17:00 〜 17:15

△ [13p-D8-4] 原子層ヘテロ構造における光キャリアの電荷分離と緩和機構

〇(DC)小澤大知¹、Ivan Verzhbitskiy²、Alexandra Carvalho²、A. H. Castro Neto²、松田一成¹、江田剛輝² (1.京都大エネ研, 2.シンガポール国立大)

17:15 〜 17:30

[13p-D8-5] グラフェン/MoSe₂ van der Waalsヘテロ構造における電流変調

〇佐田洋太¹、守谷頼¹、矢吹直人¹、増渕覚^1,²、町田友樹^1,² (1.東大生産研, 2.東大ナノ量子機構)

17:30 〜 17:45

[13p-D8-6] グラフェン/MoS₂/金属ヘテロ構造の面直伝導におけるグラフェンの状態密度の効果

〇守谷頼¹、山口健洋¹、井上義久¹、佐田洋太¹、森川生¹、増渕覚^1,²、町田友樹^1,² (1.東大生産研, 2.東大ナノ量子機構)

17:45 〜 18:00

[13p-D8-7] 層状カルコゲナイドWS₂トンネルバリアの特性

〇守谷頼¹、山口健洋¹、井上義久¹、森川生¹、増渕覚^1,²、渡邊賢司³、谷口尚³、町田友樹^1,² (1.東大生産研, 2.東大ナノ量子機構, 3.物材機構)

18:00 〜 18:15

△ [13p-D8-8] h-BNのLayer-by-Layer絶縁破壊

〇服部吉晃¹、谷口尚²、渡邊賢司²、長汐晃輔^1,³ (1.東大マテ, 2.物材機構, 3.JST-さきがけ)

18:15 〜 18:30

[13p-D8-9] hBN 基板中の空孔のグラフェンの伝導への影響の第一原理解析

〇金子智昭^1,²、大野隆央^1,^2,³ (1.物質・材料研究機構, 2.高効率電デバコンソ, 3.東大生産研)

セッション一覧

17 ナノカーボン » 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[11p-D8-1~5] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[13a-D8-1~11] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [13a-D8-3] コンダクタンス法による2層グラフェンのギャップ内準位解析

△ [13a-D8-6] グラフェン上ALD-Y2O3堆積におけるバッファー層への高圧酸素アニールによる容量向上

△ [13a-D8-8] AFMを用いたナノスケールでのグラフェンの弾性力評価

△ [13a-D8-9] 加熱/冷却系を用いたh-BN上へのグラフェンのPMMA乾式転写

△ [13a-D8-10] ジグザグエッジ導入グラフェンの電気化学的物性

△ [13a-D8-11] グラフェン電界効果トランジスタの光メモリ効果

[13a-D7-1~9] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [13a-D7-8] 単層カーボンナノチューブを用いた室温・通信波長帯域でのフォトンアンチバンチング測定

[13p-D8-1~9] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

▲ [13p-D8-2] Measuring Photo-oxidation Effect in WS2 Nanosheets using Laser Terahertz Emission Spectroscopy

△ [13p-D8-4] 原子層ヘテロ構造における光キャリアの電荷分離と緩和機構

△ [13p-D8-8] h-BNのLayer-by-Layer絶縁破壊

認証

△ [13a-D8-6] グラフェン上ALD-Y₂O₃堆積におけるバッファー層への高圧酸素アニールによる容量向上

▲ [13p-D8-2] Measuring Photo-oxidation Effect in WS₂ Nanosheets using Laser Terahertz Emission Spectroscopy