[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [11a-A21-5] SiCN鋳型プロセスを用いた傾斜フィールドプレート構造を持つInGaAs系HEMTの作製とその特性

〇吉田 智洋¹、畠山 信也¹、安川 奈那¹、尾辻 泰一¹、末光 哲也¹ (1.東北大通研)

キーワード：InGaAs-HEMT、Field Plate、Break Down