[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-A21-7] 原子拡散接合を用いてSiCウエハ上に作製したInP-DHBT

〇渡邉 昌崇¹、柳沢 昌輝¹、上坂 勝己¹、江川 満¹、小路 元¹ (1.住友電工)

キーワード：InP-DHBT