[11a-A23-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[11a-A23-5] Si上フロントゲートInAs/GaSb-OI p-MOSFETの移動度向上

〇西 康一^{1, 3}、横山 正史¹、横山 春喜^{2, 3}、星 拓也^{2, 3}、杉山 弘樹^{2, 3}、竹中 充^{1, 3}、高木 信一^{1, 3} (1.東大院工, 2.NTT先端集積デバイス研, 3.JST CREST)

キーワード：GaSb、MOSFET、貼りあわせ