2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-B1-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年3月11日(水) 08:30 〜 11:45 B1 (6B-101)

11:30 〜 11:45

△ [11a-B1-12] 指向性スパッタリングAlN中間層を用いた Si(001)基板上単結晶(1013)GaN成長

〇光成 正1、本田 善央1、天野 浩1, 2 (1.名大院工, 2.赤﨑記念研究センター)

キーワード：スパッタ、Si、半極性