[11p-A23-1~13] 13.5 デバイス／集積化技術

[11p-A23-2] 数nm-MOS素子用二次元Si層検討（Ⅺ） ：C添加による物性変調

〇長嶺 由騎¹、鈴木 佑弥¹、青木 孝¹、水野 智久¹ (1.神奈川大理)

キーワード：半導体