[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12a-A21-1] AlTiO/InAlN/AlN/GaN金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタにおけるゲートリーク電流の伝導機構

〇梁 吉慶¹、宇井 利昌¹、H.-A. Shih¹、山口 慎也¹、鈴木 寿一¹ (1.北陸先端大)

キーワード：InAlN-GaN、AlTiO、Poole-Frenkel伝導