[12a-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12a-A21-3] 界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMTの劣化過程の２次元評価

〇山本 晋吾¹、畠山 信也²、末光 哲也²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工, 2.東北大学)

キーワード：顕微光応答法、ショットキー接触、HEMT