[12a-C1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12a-C1-6] (111)基板上の{1-10}面を接合面としたダイヤモンド横型p-n接合の作製

〇佐藤 一樹¹、岩崎 孝之^{1, 2, 3}、清水 麻希^{1, 3}、加藤 宙光^{3, 4}、牧野 俊晴^{3, 4}、小倉 政彦^{3, 4}、竹内 大輔^{3, 4}、山崎 聡^{3, 4}、波多野 睦子^{1, 2, 3} (1.東工大, 2.ALCA, 3.CREST, 4.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、横型デバイス