2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[12a-P12-1~7] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月12日(木) 09:30 〜 11:30 P12 (総合体育館)

09:30 〜 11:30

▲ [12a-P12-3] Charge retention characteristics of charge trapping nonvolatile memories with silicon carbonitride (SiCN) dielectrics

〇(D)SheikhRashel Ahmed1, Shinji Naito2, Hironori Shibayama3, Jyunya Nakamura3, Kyoteru Kobayashi1, 2, 3 (1.GRAD SCH S&T, Tokai Univ, 2.GRAD SCH Eng, Tokai Univ, 3.SCH Eng, Tokai Univ.)

キーワード：Nonvolatile Memory,Silicon Carbonitride