2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[12a-P12-1~7] 13.3 絶縁膜技術

2015年3月12日(木) 09:30 〜 11:30 P12 (総合体育館)

09:30 〜 11:30

▲ [12a-P12-6] Improvement of Electrical Properties of InGaAs MOS Interfaces by Inserting La Oxide Interfacial Layers into InGaAs Gate Stacks

〇(D)ChihYu Chang1, 3, Osamu Ichikawa2, 3, Takenori Osada2, 3, Hisashi Yamada2, 3, Mitsuru Takenaka1, 3, Shinichi Takagi1, 3 (1.The Univ. of Tokyo, 2.Sumitomo Chemical, 3.JST-CREST)

キーワード：InGaAs,Gate stacks,La2O3