[12a-P12-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[12a-P12-7] Radical-Enhanced ALD法によるGe基板上Alジャーマネイトの形成機構に関する検討

横平 知也¹、〇梁池 昂生¹、柳 炳學²、山本 千綾²、山中 淳二²、佐藤 哲也²、岡本 浩³、福田 幸夫¹ (1.諏訪東京理科大学, 2.山梨大学, 3.弘前大学)

キーワード：RE-ALD、Al ジャーマネイト