[12p-A21-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [12p-A21-5] AlGaN/GaN系PチャネルHFETのMOS構造によるノーマリーオフ化

〇久保田 俊介¹、萱沼 怜¹、中島 昭³、西澤 伸一³、大橋 弘通^{2, 3}、筒井 一生¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋² (1.東工大総理工, 2.東工大フロンティア研, 3.産総研)

キーワード：窒化物半導体、Pチャネル、ノーマリーオフ