Effectiveness of surface potential fluctuation for representing inversion-layer mobility limited by Coulomb scattering in MOSFETs

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

2015年3月13日(金) 09:00 〜 12:30 A24 (6A-217)

10:30 〜 10:45

〇(D)Weili Cai^1,², Mitsuru Takenaka^1,², Shinichi Takagi^1,² (1.Tokyo Univ., 2.JST CREST)

キーワード：surface potential fluctuation,inversion-layer mobility,Coulomb scattering