PDF ダウンロード スケジュール 20 いいね! 0 10:00 〜 10:15 [13a-B4-5] リモートH2プラズマ処理した4H-SiC表面の化学構造および電子状態分析 〇グェンスァン チュン1、大田 晃生2、竹内 大智1、張 海1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工, 2.名大VBL) キーワード:4H-SiC