[13a-P18-1~22] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス（ポスター）

[13a-P18-20] In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおけるパッシベーション膜の効果　～フッ素含有酸化シリコン・酸化シリコン/窒化シリコン積層パッシベーション～

〇辰岡 玄悟¹、Jingxin Jiang¹、Dapeng Wang^{1, 2}、古田 守^{1, 2} (1.高知工大環境理工, 2.高知工大総研)

キーワード：TFT、IGZO、フッ素