[13p-A23-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[13p-A23-2] 室温におけるNi/InAs間の固体拡散

〇眞方山 貴也¹、堀場 弘司²、組頭 広志²、雲見 日出也³、細野 秀雄^{1, 3, 4}、真島 豊^{1, 3} (1.東工大応セラ研, 2.高エネ研PF, 3.東工大元素センター, 4.東工大フロンティア)

キーワード：III-V族半導体