2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[13p-A23-1~10] 13.5 デバイス/集積化技術

2015年3月13日(金) 16:15 〜 19:00 A23 (6A-216)

16:45 〜 17:00

[13p-A23-3] 2層2次元InAs薄膜FETにおけるフローティングゲートメモリ効果

〇眞方山 貴也1、加納 伸也1、竹井 邦晴2、Steven Chuang2、Ali Javey2、雲見 日出也3、細野 秀雄1, 3, 4、真島 豊1, 3 (1.東工大応セラ研, 2.カリフォルニア大バークレー校, 3.東工大元素センター, 4.東工大フロンティア)

キーワード:電界効果型トランジスタ、Ⅲ-Ⅴ族半導体