[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-17] GaN基板上にプラズマCVDで形成したSiO₂-MOSキャパシタの特性

〇上野 勝典¹、高島 信也¹、松山 秀昭¹、江戸 雅春¹、中川 清和² (1.富士電機, 2.山梨大)

キーワード：GaN、MOS、界面