[14a-A25-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14a-A25-4] 多結晶Si上に成長したBaSi₂薄膜表面のKFM法によるポテンシャル分布評価

〇李 云鵬¹、馬場 正和¹、沼田 涼平¹、都甲 薫¹、宇佐美 徳隆^{2, 4}、関口 隆史³、末益 崇^{1, 4} (1.筑波大, 2.名大, 3.物材研, 4.JST-CREST)

キーワード：半導体、シリサイド、KFM