[14a-B1-1~9] 窒化物半導体特異構造の科学　～成長・プロセスとエレクトロニクス展開～

△ [14a-B1-4] PAMBE法によるSiC基板上AlN成長層の貫通転位低減における成長初期V/III比の重要性

〇金子 光顕¹、木本 恒暢¹、須田 淳¹ (1.京大院工)

キーワード：結晶成長、窒化物半導体、分子線エピタキシ法