09:30 〜 09:45 △ [16a-B1-3] 三次元FP構造AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに与える溝エッチング深さの効果 〇(M2)鈴木 敦也1、Joel Asubar1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大院工)