12:15 〜 12:30 [15a-B1-13] 表面活性化接合法によるAl箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性 〇森田 匠1、西村 拓也1、梁 剣波1、松原 萌子2、ダムリン マルワン2、西尾 佳高2、重川 直輝1 (1.大阪市立大学、2.東洋アルミ二ウム)