[15a-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15a-B1-13] Electrical Properties of Al-Foil/Wide-Gap-Semiconductor Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding

〇Sho Morita¹, Takuya Nishimura¹, Jianbo Liang¹, Moeko Matsubara², Marwan Dhamrin², Yoshitaka Nishio², Naoteru shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.Toyo Aluminium K.K.)

Keywords:wide-gap-semiconductor, Al-foil, surface-activated bondig

ワイドギャップ半導体上に厚膜金属電極を形成できれば、パワーデバイス配線中の電力消費の大幅な低減が期待される。我々は既に、表面活性化接合法（SAB法）による厚膜電極実現の可能性を示唆する結果を得ている。本研究ではワイドギャップ半導体のn-4H-SiCエピ基板、n-GaN基板にAl箔をSAB法で接合し、その電気特性の評価を行った。