09:30 〜 11:30 [14a-P6-18] GaNエピ層上にプラズマCVDでSiO2を形成したMOSの界面観察 〇松山 秀昭1、上野 勝典1、高島 信也1、稲本 拓朗1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機、2.山梨大)