[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-18] GaNエピ層上にプラズマCVDでSiO₂を形成したMOSの界面観察

〇松山 秀昭¹、上野 勝典¹、高島 信也¹、稲本 拓朗¹、江戸 雅晴¹、中川 清和² (1.富士電機、2.山梨大)

キーワード：GaN、MOS界面、電子顕微鏡

GaNは優れた材料特性からパワースイッチングデバイスへの応用が期待されている。これまでに低欠陥のGaN基板上にSiO₂-MOSFETを作製し、ノーマリオフ型の出力特性や50 cm²/Vsを超える移動度を得た。FETデバイスにおいてはMOS界面の制御が重要であり、MOSキャパシターのCV特性から界面準位密度が1E11 cm^-2/eV 以下と小さいことがわかった。今回はSiO₂/GaN界面状態を分析電子顕微鏡で観察した。