13:30 〜 15:30 [14p-P10-10] ミストCVD法によるa面、m面sapphire基板上へのα-Ga2O3薄膜の作製 〇赤岩 和明1、太田 勝也1、関山 尊仁1、阿部 友紀1、市野 邦男1 (1.鳥取大学)