酒井駿也

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発表者・著者、共著者

2016年9月15日(木) 09:00 〜 11:15 B3 (展示控室3)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-B3-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

09:30 〜 09:45

[15a-B3-3] P⁺およびSb⁺イオン注入Ge薄膜へのレーザーアニールの影響

〇(M1)酒井駿也¹、山村和也¹、西垣宏¹、蓮池紀幸¹、播磨弘¹、Woo Sik Yoo² (1.京工繊、2.WaferMasters Inc.)