09:00 〜 09:15 [16a-A21-1] 枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上GaN HEMT構造におけるAlGaN層成膜の回転数依存性 〇津久井 雅之1、家近 泰1、宮野 清孝1、高橋 英志1 (1.ニューフレアテクノロジー)