[16a-A21-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-A21-1] Effect of Rotation Speed on AlGaN Growth in GaN HEMT Structure Grown on 200mm Si Substrate by Fast Rotating Single-wafer MOCVD tool

〇Masayuki Tsukui¹, Yasushi Iechika¹, Kiyotaka Miyano¹, Hideshi Takahashi¹ (1.NuFlare Technology)

Keywords:Nitride semiconductor, MOCVD/MOVPE, HEMT

我々はAlGaN/GaN HEMT構造を用いた電子デバイスの低コスト化への要求に向けて200mm Si基板対応の枚葉式高速回転MOCVD装置を開発した。AlGaN/GaN HEMT構造の成膜において、電子供給AlGaN層の膜厚およびAl組成の均一性が品質管理の観点から重要となる。今回この装置を用いてAlGaN層成膜における回転数依存性を調べた結果、成長速度に強い影響があることがわかり、これを利用して4チャンバ同時成膜で膜厚均一性20.0±1nm, Al組成均一性25.0±1%を実現した。