[13a-B9-1~11] 8.4 プラズマエッチング

△ [13a-B9-2] DCシンクロパルスプラズマを用いた最先端絶縁膜エッチングプロセスにおける電子の電極間密度分布およびアフターグローでの挙動

〇植山 稔正¹、岩田 学²、福永 祐介¹、堤 隆嘉¹、竹田 圭吾¹、近藤 博基¹、石川 健治¹、関根 誠¹、大矢 欣伸²、堀 勝¹、菅井 秀郎³ (1.名大院工、2.東京エレクトロン宮城、3.中部大学)

キーワード：エッチング、プラズマ、計測