[13a-B9-1~11] 8.4 プラズマエッチング

[13a-B9-9] 中性粒子ビーム励起錯体反応を用いたCoFeBエッチング

〇久保田 智広¹、美山 遼²、菊地 良幸²、寒川 誠二^1,3 (1.東北大流体研、2.東京エレクトロン、3.東北大WPI-AIMR)

キーワード：遷移金属錯体、磁気抵抗メモリ、エッチング加工

遷移金属（特に磁性材料）の異方性エッチングプロセスは、磁気抵抗メモリ（RAM, MRAM）の実用化のために極めて重要である。プラズマから方向性と運動エネルギーを持った粒子を引き出して照射する中性粒子ビーム装置を用いることで、錯体形成のための有機分子をプラズマで分解されることなく表面に供給しつつ中性粒子ビームを照射しエッチングを行うことができる。このコンセプトに基づきCoFeBのエッチングを実現した。