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△ [13a-D63-5] チタン酸ストロンチウム基板上への圧電性Ta2O5薄膜の成膜と評価
キーワード：五酸化タンタル、圧電性薄膜、弾性表面波
圧電性Ta2O5薄膜のSAW伝搬損失(PL)の低減を目的として，チタン酸ストロンチウム(100)，(110)上へのスパッタリング法によるエピタキシャル成長を検討した．特に，(110)上では，面内に格子配列を有する結晶性の高いTa2O5薄膜が得られた．IDT対の周波数特性から求めたSAWのPLは0.02 dB/λであり，同一条件でSiO2上に成膜した場合の0.22 dB/λよりも小さい値が得られた．