2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月13日(火) 13:15 〜 18:00 A21 (メインホールA)

荒木 努(立命館大)、有田 宗貴(東大)、村上 尚(農工大)

16:30 〜 16:45

[13p-A21-11] ファセット制御ハイドライド気相成長法により作製したGaNにおける転位密度の可視化

松原 徹1、河原 慎1、行實 孝太1、井本 良1、岡田 成仁1、只友 一行1 (1.山口大学院・創成科学)

キーワード:転位密度分布、カソードルミネッセンス、選択成長

我々はハイドライド気相成長法を用いて、ファセット制御した選択成長を行い、その埋め込み成長を実施することにより全面に渡り低転位のGaN基板を作製した。本手法では、c面成長領域とファセット成長領域が存在することは判明済みであったが、各領域における転位の密度や、その低減具合といった詳細は不明であった。本研究では斜め研磨した試料をカソードルミネッセンス(CL)測定し、暗点密度から三次元的な転位密度分布を評価した。