[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-13] HVPE法によるGaNの選択成長におけるマスク幅依存性とファセット形成メカニズム

〇河原 慎¹、行實 孝太¹、松原 徹¹、板垣 憲広¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学)

キーワード：窒化ガリウム、ハイドライド気相成長